二极管原理及图解（二极管基础知识--定义和原理）

⼆极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗⼆极管（Ge管）和硅⼆极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管等。按照管芯结构，⼜可分为点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管及平⾯型⼆极管。
点接触型⼆极管是⽤⼀根很细的金属丝压在光洁的半导体晶⽚表⾯，通以脉冲电流，使触丝⼀端与晶⽚牢固地烧结在⼀起，形成⼀个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较⼩的电流（不超过⼏⼗毫安），适⽤于⾼频⼩电流电路，如收⾳机的检波等。面接触型⼆极管的“PN结”⾯积较⼤，允许通过较⼤的电流（⼏安到⼏⼗安），主要⽤于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平⾯型⼆极管是⼀种特制的硅⼆极管，它不仅能通过较⼤的电流，⽽且性能稳定可靠，多⽤于开关、脉冲及⾼频电路中。

1 晶体⼆极管的分类
1.1 根据构造分类
半导体⼆极管主要是依靠PN结⽽⼯作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列⼊⼀般的⼆极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造⾯的特点，把晶体⼆极管分类如下：

点接触型⼆极管

是一种最早期的半导体器件之一，也被称为晶体管的前身。它是由德国物理学家卡尔·费迪南德·布劳恩（Karl Ferdinand Braun）于1874年首次发现。点接触二极管由两个不同材料的半导体片组成，其中一个是n型（电子掺杂）半导体片，另一个是p型（空穴掺杂）半导体片，它们通过一个极小的点接触而连接。

点接触二极管在工作时，通过在p-n接触处施加正向电压，使得电流从p型区域注入到n型区域。当施加正向偏压时，电子从n型区域注入p型区域，而空穴则从p型区域注入n型区域。因此，电流可以在p-n结的两侧流动，形成电流的导通。

然而，点接触二极管存在一些缺点，如温度敏感性高、制造成本高、不稳定等。后来，晶体管（特别是晶体管的结构改进）逐渐取代了点接触二极管。晶体管具有更高的稳定性、可靠性和性能，成为了现代电子器件的基础。点接触二极管的重要性在技术发展中已经大幅减少，但它作为半导体器件的开创者仍然具有历史意义。

点接触型⼆极管是在锗或硅材料的单晶⽚上压触⼀根⾦属针后，再通过电流法⽽形成的。因此，其PN结的静电容量⼩，适⽤于⾼频电路。但是，与⾯结型相⽐较，点接触型⼆极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使⽤于⼤电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于⼩信号的检波、整流、调制、混频和限幅等⼀般⽤途⽽⾔，它是应⽤范围较⼴的类型。

面接触型二极管（Surface Barrier Diode）是一种高频用途的特殊类型的二极管。面接触型二极管的主要特点是其具有较快的反向恢复时间和较低的电容。这使得它们在高频应用中非常有用，例如射频放大器、混频器、检波器等。

面接触型二极管通常由金属与半导体材料之间的面接触构成。金属层与半导体材料直接接触，因此电子在两者之间移动的距离更短，反向恢复时间更快。此外，面接触型二极管的结构设计使得其电容较低，进一步提高了其在高频应用中的性能。

总的来说，面接触型二极管在高频电路中的应用非常广泛，特别是在需要快速开关和低电容的场合。它们提供了一种有效的方式来处理高频信号，使得其在无线通信、雷达系统、广播等领域中发挥着重要作用。

平⾯型⼆极管
在半导体单晶⽚（主要地是N型硅单晶⽚）上，扩散P型杂质，利⽤硅⽚表⾯氧化膜的屏蔽作⽤，在N型硅单晶⽚上仅选择性地扩散⼀部分⽽形成的PN结。因此，不需要为调整PN结⾯积的药品腐蚀作⽤。由于半导体表⾯被制作得平整，故⽽得名。并且，PN结合的表⾯，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命⻓的类型。最初，对于被使⽤的半导体材料是采⽤外延法形成的，故⼜把平⾯型称为外延平⾯型。对平⾯型⼆极管⽽⾔，似乎使⽤于⼤电流整流⽤的型号很少，⽽作⼩电流开关⽤的型号则很多。

键型⼆极管
键型⼆极管是在锗或硅的单晶⽚上熔接或银的细丝⽽形成的。其特性介于点接触型⼆极管和合金型⼆极管之间。与点接触型相⽐较，虽然键型⼆极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关⽤，有时也被应⽤于检波和电源整流（不⼤于50mA）。在键型⼆极管中，熔接⾦丝的⼆极管有时被称⾦键型，熔接银丝的⼆极管有时被称为银键型。

其内部结构由金属与半导体之间的金属-半导体接触（Schottky接触）组成。

内部结构的主要组成部分包括：

1. 金属层（阳极）：键型二极管的一个端口通常是金属层，也称为阳极。这个金属层可以是铂、钼、铬、铝等金属。

2. 半导体层（阴极）：另一个端口是半导体层，也称为阴极。这个半导体层通常是n型或p型的硅（Silicon）或碳化硅（Silicon Carbide）等半导体材料。

3. Schottky接触界面：金属层和半导体层之间形成了一个金属-半导体接触，称为Schottky接触。这个接触是非晶态或非均匀的，不像PN结二极管那样有明确定义的P型和N型区域。

4. 表面特征：键型二极管的金属-半导体接触通常具有一些表面特征，如微观凹陷或起伏，这些特征可以增加接触区域的有效表面积，从而降低接触电阻。

键型二极管由于其金属-半导体接触的特殊性质，具有许多优点，包括快速开关速度、低正向电压降、高温特性良好等。它们在高频电路、功率电子器件、混频器、检波器等领域中有着广泛的应用。

合⾦型⼆极管
在N型锗或硅的单晶⽚上，通过合⾦铟、铝等⾦属的⽅法制作PN结⽽形成的。正向电压降⼩，适于⼤电流整流。因其PN结反向时静电容量⼤，所以不适于⾼频检波和⾼频整流。

扩散型⼆极管
在⾼温的P型杂质⽓体中，加热N型锗或硅的单晶⽚，使单晶⽚表⾯的⼀部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降⼩，适⽤于⼤电流整流。最近，使⽤⼤电流整流器的主流已由硅合⾦型转移到硅扩散型。

台⾯型⼆极管
PN结的制作⽅法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分⽤药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台⾯形，因⽽得名。初期⽣产的台⾯型，是对半导体材料使⽤扩散法⽽制成的。因此，⼜把这种台⾯型称为扩散台⾯型。对于这⼀类型来说，似乎⼤电流整流⽤的产品型号很少，⽽⼩电流开关⽤的产品型号却很多。

合⾦扩散型⼆极管
它是合⾦型的⼀种。合⾦材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合⾦⼀起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适⽤于制造⾼灵敏度的变容⼆极管。

外延型⼆极管
⽤外延⾯⻓的过程制造PN结⽽形成的⼆极管。制造时需要⾮常⾼超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造⾼灵敏度的变容⼆极管。

肖特基⼆极管
基本原理是：在⾦属（例如铅）和半导体（N型硅⽚）的接触⾯上，⽤已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作⽤原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特⻓是：开关速度⾮常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关⼆极和低压⼤电流整流⼆极管。

"肖特基"通常指的是德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）。他生于1886年，于1976年去世。肖特基在电子学和半导体物理学领域做出了重要贡献，尤其是在半导体器件方面。他最著名的贡献之一是肖特基二极管，这是一种利用金属-半导体接触的二极管。这种二极管具有低噪声、高速度和高稳定性等特性，在无线电、微波和其他电子领域中得到广泛应用。

除了肖特基二极管，肖特基还对真空管、晶体管以及其他电子器件的理论和设计做出了重要贡献。他的工作对于现代电子技术的发展具有深远影响，并使他成为20世纪最重要的电子学家之一。

肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊类型的二极管，其工作原理基于肖特基效应。这种效应是指当金属与半导体接触时，在金属和半导体之间会形成一个能量势垒，这个势垒相比于PN结二极管的PN结形成的势垒更低。肖特基二极管的工作原理主要包括以下几个方面：

1. 电荷注入和排斥：当金属与半导体接触时，金属中的自由电子会向半导体区域注入，并与半导体中的自由载流子（通常是电子）进行复合。这会在接触界面形成一个具有电子亏缺的区域（称为空间电荷区），形成了势垒。这个过程是一个热激发的过程，不需要外加电压。

2. 势垒的高导电性：由于肖特基二极管的势垒较低，所以电子能够相对容易地通过势垒，这导致了肖特基二极管具有非常快的开关特性和低的正向电压降。

3. 快速开关特性：肖特基二极管的快速开关特性使得它在高频应用中特别有用，比如射频（RF）应用或高速开关电源。

4. 低反向漏电流：与普通PN结二极管相比，肖特基二极管在反向偏置时有更低的漏电流，这是由于它的势垒高度较低所致。

总的来说，肖特基二极管的工作原理是基于金属与半导体之间形成的势垒以及势垒的导电特性。

1.2 根据⽤途分类
检波⽤⼆极管
就原理⽽⾔，从输⼊信号中取出调制信号是检波，以整流电流的⼤小（100mA）作为界线通常把输出电流⼩于100mA的叫检波。锗材料点接触型、⼯作频率可达400MHz，正向压降⼩，结电容⼩，检波效率⾼，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波⽤的⼆极管，除⽤于检波外，还能够⽤于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专⽤的特性⼀致性好的两只⼆极管组合件。

整流⽤⼆极管
就原理⽽⾔，从输⼊交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的⼤⼩（100mA）作为界线通常把输出电流⼤于100mA的叫整流。⾯结型，⼯作频率⼩于KHz，最⾼反向电压从25伏⾄3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流⼆极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③⽤于电视机⾼压硅堆⼯作频率近100KHz的2CLG型。

限幅⽤⼆极管
⼤多数⼆极管能作为限幅使⽤。也有象保护仪表⽤和⾼频⻬纳管那样的专⽤限幅⼆极管。为了使这些⼆极管具有特别强的限制尖锐振幅的作⽤，通常使⽤硅材料制造的⼆极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若⼲个必要的整流⼆极管串联起来形成⼀个整体。

调制⽤⼆极管
通常指的是环形调制专⽤的⼆极管。就是正向特性⼀致性好的四个⼆极管的组合件。即使其它变容⼆极管也有调制⽤途，但它们通常是直接作为调频⽤。

混频⽤⼆极管
使⽤⼆极管混频⽅式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采⽤肖特基型和点接触型⼆极管。

放⼤⽤⼆极管
⽤⼆极管放⼤，⼤致有依靠隧道⼆极管和体效应⼆极管那样的负阻性器件的放⼤，以及⽤变容⼆极管的参量放⼤。因此，放⼤⽤⼆极管通常是指隧道⼆极管、体效应⼆极管和变容⼆极管。

开关⽤⼆极管
有在⼩电流下（10mA程度）使⽤的逻辑运算和在数百毫安下使⽤的磁芯激励⽤开关⼆极管。⼩电流的开关⼆极管通常有点接触型和键型等⼆极管，也有在⾼温下还可能⼯作的硅扩散型、台⾯型和平⾯型⼆极管。开关⼆极管的特⻓是开关速度快。⽽肖特基型⼆极管的开关时间特短，因⽽是理想的开关⼆极管。2AK型点接触为中速开关电路⽤；2CK型平⾯接触为⾼速开
关电路⽤；⽤于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅⼤电流开关，正向压降⼩，速度快、效率⾼。

变容⼆极管
⽤于⾃动频率控制（AFC）和调谐⽤的⼩功率⼆极管称变容⼆极管。⽇本⼚商⽅⾯也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发⽣变化。因此，被使⽤于⾃动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等⽤途。通常，虽然是采⽤硅的扩散型⼆极管，但是也可采⽤合⾦扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的⼆极管，因为这些⼆极管对于电压⽽⾔，其静电容量的变化率特别⼤。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，⽤作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常⽤于电视机⾼频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

频率倍增⽤⼆极管
对⼆极管的频率倍增作⽤⽽⾔，有依靠变容⼆极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）⼆极管的频率倍增。频率倍增⽤的变容⼆极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和⾃动频率控制⽤的变容⼆极管的⼯作原理相同，但电抗器的构造却能承受⼤功率。阶跃⼆极管⼜被称为阶跃恢复⼆极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特⻓是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃⼆极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产⽣很多⾼频谐波。

稳压⼆极管
是代替稳压电⼦⼆极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合⾦型。是反向击穿特性曲线急骤变化的⼆极管。作为控制电压和标准电压使⽤⽽制作的。⼆极管⼯作时的端电压（⼜称⻬纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率⽅⾯，也有从200mW⾄100W以上的产品。⼯作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很⼩，⼀般为2CW型；将两个互补⼆极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。

PIN型⼆极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹⼀层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体⼆极管。PIN中的I是“本征”意义的英⽂略语。当其⼯作频率超过100MHz时，由于少数载流⼦的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其⼆极管失去整流作⽤⽽变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压⽽改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很⾼；在直流正向偏置时，由于载流⼦注⼊“本征”区，⽽使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN⼆极管作为可变阻抗元件使⽤。

PIN型二极管是一种特殊类型的二极管，其名称来自于其构造：正向偏置的P区、非掺杂的Intrinsic（内禀）区和负向偏置的N区。PIN型二极管通常用于微波和射频应用中，以及光电探测器和光通信系统中的光敏元件。

PIN型二极管相比于普通的PN结二极管具有更大的内禀区，这使得它在反向偏置时具有更高的电阻。这个内禀区的增加使得PIN型二极管能够处理更高的功率、更高的频率，以及更大的反向电压。

主要特点和应用包括：

1. 低频率和高频率的应用：PIN型二极管在低频率和高频率应用中都有广泛的应用。在低频率应用中，它们可以用作变阻器或电流控制器；而在高频率应用中，它们可以用作开关、调制器、混频器等。

2. 微波和射频应用：由于PIN型二极管的高速特性和较低的损耗，它们经常用于微波和射频应用中，例如射频开关、调制器、限幅器等。

3. 光电探测器：在光电探测器中，PIN型二极管用于转换光信号为电信号，因为它们对光的敏感度较高。

4. 光通信系统：在光通信系统中，PIN型二极管也用作光电探测器，用于接收光信号并转换为电信号。

雪崩⼆极管(Avalanche Diode)

雪崩二极管（Avalanche Diode）是一种特殊类型的二极管，它利用了雪崩击穿效应来实现其功能。在正向电压下，雪崩二极管的电流-电压特性类似于普通的二极管，但在反向电压下，其特性则表现出了与普通二极管截然不同的特点。

当反向电压施加在雪崩二极管上时，如果电压足够高，电子会在 PN 结的空穴区域中获得足够的能量以使它们被加速到高能级，当这些高能电子碰撞到晶格原子时，会释放出额外的电子空穴对。这些额外的电子空穴对可以继续获得能量并碰撞更多的原子，形成一种类似于雪崩效应的现象，因此得名雪崩二极管。

雪崩二极管的主要特点包括：

1. 反向击穿电压（Breakdown Voltage）: 在雪崩效应发生之前，雪崩二极管可以承受很高的反向电压。当达到一定的反向电压时，雪崩效应开始，此时二极管处于击穿状态。这个电压称为反向击穿电压或雪崩电压。

2. 高反向电流能力: 雪崩二极管在击穿状态下可以通过大量的反向电流，因此可用于电压稳定器和过压保护器件。

3. 稳定性: 雪崩二极管在击穿状态下的电压几乎保持不变，这使得它们在一定范围内可以提供稳定的电压输出。

4. 温度特性: 雪崩二极管的击穿电压随温度变化的影响相对较小，因此它们具有较好的温度稳定性。

雪崩二极管在许多应用中都非常有用，特别是在需要稳定反向电压的场合，例如电压参考、稳压器、过压保护等方面。

江崎⼆极管 （Tunnel Diode）
江崎二极管，也称为隧道二极管（Tunnel Diode），是一种特殊的半导体二极管，它利用了量子力学的隧穿效应作为其主要的工作原理。江崎二极管最早由日本物理学家江崎玄开发。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体⼆极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是⾼掺杂的（即⾼浓度杂质的）。

隧道二极管的主要特点是在其特定的工作区域内，其电流-电压特性呈现出负阻特性，也就是说，当电压增加时，电流反而减小。这种负阻特性使得隧道二极管在一些特殊的电路应用中非常有用。

江崎二极管的工作原理基于量子力学中的隧穿效应。当两个半导体材料之间的能带出现重叠时，电子可以通过能量足够的量子跳跃到另一侧，而无需克服能垒。这种现象被称为隧穿效应。在江崎二极管中，当反向电压施加到一个特定的程度时，就会发生隧穿效应，导致电子可以从价带通过隧道跳跃到导带，导致电流的剧烈增加。

江崎二极管的应用主要包括高频电路、微波电路、振荡器、开关和逻辑门等领域。虽然江崎二极管在数字电路中的应用已经被后来的器件所取代，但在某些特定的模拟电路和微波电路中，它仍然具有一定的应用价值。

快速关断（阶跃恢复）⼆极管(Step Recovary Diode)
它也是⼀种具有PN结的⼆极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从⽽形成“⾃助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流⼦导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历⼀个“存贮时间”后才能降⾄最⼩值（反向饱和电流
值）。阶跃恢复⼆极管的“⾃助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截⽌，并产⽣丰富的谐波分量。利⽤这些谐波分量可设计出梳状频谱发⽣电路。快速关断（阶跃恢复）⼆极管⽤于脉冲和⾼次谐波电路中。

阻尼⼆极管
具有较⾼的反向⼯作电压和峰值电流，正向压降⼩，⾼频⾼压整流⼆极管，⽤在电视机⾏扫描电路作阻尼和升压整流⽤。

阻尼二极管是一种常见的二极管，通常用于电感元件（例如电感线圈）的保护电路中。其作用是在电感元件电流截断时提供一条低阻抗的路径，以防止电感元件中产生的高电压脉冲损坏其他元件。

在电感元件中，当电流截断时，电感元件会产生一个反向电压脉冲，其幅值可以很高，这是由于电感元件的自感作用导致的。这种高电压脉冲可能会损坏其他电路元件。阻尼二极管的作用就是通过提供一个低阻抗的路径，使得这些电压脉冲能够得到有效地消耗，从而保护其他元件。

阻尼二极管通常被连接在电感元件的并联路径上，在电感元件的两端之间。在正常工作情况下，阻尼二极管是反向偏置的，因此不导通。但是当电感元件中断电流时，阻尼二极管就会导通，提供一个路径来消耗电感元件中产生的能量，并保护其他电路元件不受损坏。

阻尼二极管通常被选择为快速恢复二极管或肖特基二极管，这是因为它们具有较快的反向恢复时间，可以更有效地消耗电感元件中的能量，从而提供更好的保护效果。

瞬变电压抑制⼆极管

瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS Diode）是一种用于保护电路免受瞬态或过电压损坏的特殊类型的二极管。它通常用于电路中，以限制过电压或瞬态电压在电路中的传播，并将其消耗掉，从而保护其他敏感元件不受损坏。

瞬态电压抑制二极管的工作原理是当电压超过其额定工作电压时，它将迅速导通并提供一个低阻抗路径，将过电压或瞬态电压释放到地或其他安全位置，从而将其限制在一个安全水平以下。

主要特点包括：

1. 快速响应时间：瞬态电压抑制二极管能够迅速导通，响应时间非常快，从而有效地保护其他元件免受损坏。

2. 低动态电阻：在导通状态下，瞬态电压抑制二极管具有相对较低的动态电阻，能够有效地消耗过电压或瞬态电压。

3. 高能量吸收能力：它能够吸收大量的能量，因此在保护电路免受大功率瞬态电压冲击时非常有效。

4. 可重复使用：一旦瞬态电压消失，二极管将恢复到其非导通状态，可以重复使用。

瞬态电压抑制二极管在许多电子设备和电路中广泛应用，尤其是在需要保护敏感元件（例如集成电路、传感器、通信设备等）免受雷击、电压浪涌或其他瞬态电压事件损坏的情况下。

双基极⼆极管（单结晶体管）
两个基极，⼀个发射极的三端负阻器件，⽤于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。

双基极二极管的制作过程：在一块高电阻率的N型半导体基片的两端各引出一个铝电极，如图c所示，分别称为第一基极B1和第二基极B2，然后在N型半导体基片一侧埋入P型半导体，在两种半导体的结合部位就形成了一个PN结，再在P型半导体端引出一个电极，称为发射极E。

双基极二极管的等效电路如图d所示。双基极二极管B1、B2极之间为高电阻率的N型半导体，故两极之间的电阻RBB较大（约4—12千欧），以PN结为中心，将N型半导体分为两部分，PN结与B1极之间的电阻用RB1表示，PN结与B2极之间的电阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E极与N型半导体之间的PN结可等效为一个二极管，用VD表示。

发光⼆极管
⽤磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积⼩，正向驱动发光。⼯作电压低，⼯作电流⼩，发光均匀、寿命⻓、可发红、⻩、绿单⾊光。

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种半导体器件，具有将电能直接转换为光能的能力。它是由一种固体半导体材料构成的，当电流通过时，会发出可见光。

LED的工作原理是基于半导体的电子结构。LED通常由n型和p型半导体材料组成，它们之间的结构被称为p-n结。当正向电压施加到LED上时，电子从n型区域流向p型区域，同时空穴从p型区域流向n型区域。在p-n结附近，电子和空穴会结合并释放出能量，这些能量以光子的形式释放出来，产生可见光。LED的发光颜色取决于半导体材料的组成。

LED具有许多优点，包括：

1. 高效率：LED能够将大部分电能转换为光能，相对于传统的光源（如白炽灯泡），LED具有更高的能量利用率。

2. 长寿命：LED具有较长的使用寿命，通常可持续数万小时，甚至数十万小时，远远超过传统的光源。

3. 快速启动：LED能够立即达到全功率，不需要预热时间。

4. 节能：LED的能耗较低，因此可节省能源成本。

5. 小型化：LED非常小巧，可以制造成各种形状和尺寸，非常适合用于各种应用场合。

由于这些优点，LED被广泛应用于照明、显示、指示灯、背光源、汽车灯、电子设备等领域。随着技术的不断进步，LED的性能不断提高，价格不断下降，预计LED将在更多的领域取代传统光源。

1.3 根据特性分类
点接触型⼆极管，按正向和反向特性分类如下。
⼀般⽤点接触型⼆极管
这种⼆极管正如标题所说的那样，通常被使⽤于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这⼀类。
⾼反向耐压点接触型⼆极管
是最⼤峰值反向电压和最⼤直流反向电压很⾼的产品。使⽤于⾼压电路的检波和整流。这种型号的⼆极管⼀般正向特性不太好或⼀般。在点接触型锗⼆极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料⼆极管，其耐压受到限制。要求更⾼时有硅合⾦和扩散型。
⾼反向电阻点接触型⼆极管
正向电压特性和⼀般⽤⼆极管相同。虽然其反⽅向耐压也是特别地⾼，但反向电流⼩，因此其特⻓是反向电阻⾼。使⽤于⾼输⼊电阻的电路和⾼阻负荷电阻的电路中，就锗材料⾼反向电阻型⼆极管⽽⾔，SD54、1N54A等等属于这类⼆极管。
⾼传导点接触型⼆极管
它与⾼反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得⾜够⼩。对⾼传导点接触型⼆极管⽽⾔，有SD56、1N56A等等。对⾼传导键型⼆极管⽽⾔，能够得到更优良的特性。这类⼆极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较⾼。